三星GALAXY S6 edge全方位評測：堪稱安卓最強旗艦機
三星GALAXY S6 edge評測：硬件
三星在S6 edge上做出的一件讓人津津樂道的事情是棄用了高通處理器，這在幾個月前的Note 4上還是一個“不可能完成的任務”。但隨著三星Exynos 7420的到來，三星手機去高通化有了足夠的資本。
Exynos 7420創造了三星移動芯片上的多個第一，首先它是三星首個64位芯片，Exynos 7420基于ARM A57+A53的big.LITTLE架構；其次Exynos 7420是移動芯片領域首個采用14nm FinFET工藝的產品，迄今為止只有三星和英特爾在量產FinFET工藝的14nm芯片；Exynos 7420集成了最高內存帶寬可達25.6GB/s的Mali-T760 MP8圖形處理器，這也是目前為止最強的移動圖形處理器芯片。
不過受制于專利以及全球推廣的問題，三星在SoC的基帶方面還是用了高通的解決方案，這一點和之前媒體猜測的集成基帶或者是外掛Intel基帶有出入。而用于測試的這款型號為G9250支持雙4G網絡，這也是拜高通的基帶所賜。
不過我拿到的這款測試機很明顯被官方限制了測試軟件的安裝，系統會自動檢測軟件簽名，我測試了大部分的跑分軟件，都無法安裝，對于Exynos 7420的解析只能待正式版到來再議了。
當然，S6 edge硬件部分的亮點不止于此，用于內存部分的LPDDR4 RAM和UFS2.0存儲技術也成為這一代S系列的亮點。
圖片來自互聯網
LPDDR 4已經確認會在今年成為標配，相比之前被廣泛使用的LPDDR 3內存，DDR4在帶寬（25.6GB/s）、主頻（1.6GHz）和電壓方面有明顯的優勢。更大的帶寬意味著內存數據交換的速度會加快，這將幫助S6 edge獲得更快的任務加載速度。
圖片來自互聯網
UFS 2.0也是來自三星自家的產品。相比于目前市面上被廣泛使用的eMMC 5.1，UFS 2.0被看作是下一代的存儲產品，其不僅速度更快，而且還支持讀寫數據同步進行，滿足了移動設備對數據交換的更高要求。從理論數值來看，UFS2.0的連續讀取速度是350MB/s，連續寫入速度達到150MB/s，即便是現在最頂尖的eMMC 5.1在這兩項上也和UFS 2.0存在不小的差距。
我內存測試軟件簡單測試了一下三星S6 edge（UFS 2.0）和HTCOne M8（eMMC 4.5）兩款手機的內存處理速度，從數據中可以明顯看到，UFS 2.0在讀寫速度上相比eMMC 4.5有著相當明顯的優勢，這無疑將對手機存儲性能有著質的提升。
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